英特尔加入3nm工艺战局计划2023年底推出
《科创板日报》1月18日讯(编辑邱思雨)据海外媒体HardwareTimes报道,在接受日本媒体ITMedia采访时,英特尔日本负责人透露,英特尔计划于2023年底推出3nm(Intel3)工艺节点。第5代XeonEmeraldRapidsSP将采用Intel3工艺制造。
此外,英特尔还计划于未来几个月内大规模生产其4nm(Intel4)节点。英特尔日本负责人进一步指出,随着Alder和RaptorLake的7nm(Intel7)节点问世,MeteorLake的4nm晶圆已经量产。Intel4工艺将带来20的每瓦性能提升,并采用EUV光刻技术以获得更好的良率和密度。
此前,3nm工艺领域的主要玩家只有两位台积电和三星。随着英特尔的加入,3nm制程的市场竞争格局逐渐扑朔迷离。
台积电于2022年下半年宣布了量产3nm芯片,但其3nm工艺的推广进程并非一帆风顺。据台湾电子时报12月30日报道,台积电3nm代工价突破2万美元,目前客户接受度较低,只有苹果为其忠实粉丝,高通则选择了分流订单行销长DonMcGuire透露,进入GAA工艺后,高通或将采用苹果、三星双供应商策略。海外媒体Tomshardware近日报道指出,为刺激客户采用,台积电考虑降低其3nm制程系列的报价。
而三星的3nm制程此前备受良率低下所扰,BusinessNext采访的半导体行业分析师和专家表示,台积电N3良率最高可达75至80,而三星代工厂的3GAE良率在早期阶段仅10到20。但据韩国每日经济新闻1月10日报道,三星一位高管在受访时表示,三星第一代的3nm制程良率接近完美,第二代3nm芯片技术也迅速展开。