杨炳雄,男,汉族,1965年1月生,1986年毕业于清华大学毕业现代应用物理系,1987年赴日本北海大学学习,物理学博士。2001年至2005年,任美国MTX硅谷研发中心主任。
工作经历
1981年至1986年在清华上学,毕业后被推荐为中科院研究生,3个月后经教育部推荐到日本公费留学。在日本北海道大学攻读完硕士、博士学位后,在北海道大学研究中心任研究员工作了近2年半。1995年去了美国,我喜欢通讯行业,在日本时就搞半导体、光电材料、激光器等,一直到回国都在搞通讯方面的工作。
创业经历
杨炳雄在美国创建AcTechInc公司,对本项目进行了前期开发和中试,为在国内实现产业化创造了条件。几位专家去年归国后,与一家房地产开发公司共同创建了大连艾科科技开发有限公司,将美国AcTechInc公司并入大连艾科,成为大连艾科的在美研发中心。该项目去年10月经大连市发展计划委员会确认为国家高科技产业光电子专项项目并报国家计委立项,现经国家计委初审通过。专家认为,该项目技术居国家领先水平,具有广阔的发展前景和市场潜力。
个人言论
一位资深的专家曾经说:“世界上大多数人会因为自己的兴趣和爱好花费很多钱,而我却因为自己的兴趣和爱好赚了很多钱,所以我认为我是世界上最幸福的人。”
无论企业是好是坏,无论我个人是否赚钱,我最大的自豪是我为国家的微波、光电事业作出了巨大的贡献。
事迹成就
他开发出以多晶InP为磷源的MBE生长法,在世界上首次实现了磷系材料的MEE生长法;他在世界上首次在IIVI族MBE生长室生长出InP缓冲层,从而实现了世界上首次用一个衬底可实现全可见光谱的IIVI族宽禁带激光材料;他带领技术团队发明了以多层陶瓷中VIA空洞为微波波导界面的导波结构,使陶瓷导波频宽从015GHz提高到050GHz...
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