西数开始生产64层堆叠的3DNAND闪存芯片
【PConline 资讯】日前,西部数据宣布其已开始生产业内最密集的3D NAND闪存芯片,堆叠达到了64层。每单元存数比特位数也从2增加到了3(就是从MLC变成了TLC)。西数及其合作伙伴东芝将其“垂直3D堆叠技术”称作Bit Cost Scaling(简称 BiCS)。
其生产过程类似摩天楼的建造过程,一层一层地堆叠至64层,在更小的空间内容纳更高存储容量,进而带来很大的成本节约、能耗降低,使得每Gb的成本效益更加明显。此外,这项技术还增加了数据可靠性、以及固态存储是速度。
三星是首家宣布量产3D 闪存芯片的企业(2014 年),其技术被命名为 V-NAND,起初只堆叠了32层,但也将存储位元从MLC改进到了TLC。所以其TLC产品的容量(128 Gbits / 16 GB)比东芝初代48 层NAND芯片还要高)。
西数于 2016 年 7 月首次向公众展示了其 64 层 3D NAND 技术,新芯片已于日本四日市制造工厂开始试产,该公司计划在 2017 年 下半年开始量产。
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制,是大势所趋。