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三星首发LPDDR56400内存芯片功耗降低30

  7月17日上午消息,三星今晨宣布,  成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级(10~20nm)工艺  。据悉,  该LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb(1GB)  ,8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。
  其它基本规格还有,  内存速度(针脚带宽)最高6400Mbps  ,是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星称,每秒可以传送51.2GB数据(比如高端手机常见的64bit bus),相当于14部1080P电影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS,每秒破100GB无压力。
  与此同时,  功耗比LPDDR4X降低高达30%,  主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术加入。三星的8Gb LPDDR5规格弹性较高,1.1V工作电压下可达6400Mbps,1.05V下可达5500Mbps,供手机、车载平台自行选择。
  资料显示,三星在2014年首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片,之后,就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分,后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月份开发完成)。
  LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等,三星称,5G和AI将是其主力服务的场景。三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。(来源:驱动之家)

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