[PConline 资讯]对3D闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3D闪存的核心竞争力，而在上周，中国长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术，QLC类型容量做到了1.33Tb容量，破下三个世界纪录。国产闪存技术突飞猛进，而三星等公司也没闲着，三星正在开发160堆栈的3D闪存。
　　对3D闪存来说，堆栈层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3D闪存的核心竞争力，而在今年，全球将大规模量产100+层的3D闪存。
　　但每家厂商采用的技术各不相同，例如东芝、西数的有112层的，美光、SK海力士有128层的，英特尔的是144层，并且是浮栅极技术，而三星去年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层，今年也是量产的主力。
　　在136层之后，三星目前正在研发160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的基础。
　　而目前还没有关于160层+的3D闪存的技术信息，而据韩媒报道称三星为制造更高层数的3D闪存，可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈技术升级到双堆栈技术。
　　考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额，实力是最强的，不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发，继续保持闪存技术上的优势，拉开与对手的差距。

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