上海高研院在晶体硅太阳电池领域取得进展

　　晶体硅（cSi）太阳电池的降本增效是发展和普及光伏发电，实现碳达峰、碳中和目标的重要推动力。以非晶硅晶体硅异质结（SHJ）为代表的钝化接触太阳电池已获得超25的转换效率，受到产业界的广泛关注。同时，SHJ电池存在的寄生光吸收高、设备和工艺成本高等问题促使研究人员寻找替代材料和工艺。
　　近日，中国科学院上海高等研究院李东栋研究员、鲁林峰副研究员团队联合晋能清洁能源科技股份公司在ACSAppliedMaterialsInterfaces（IF9。229）上发表了题为InterfacialEngineeringofCu2OPassivatingContactforEfficientCrystallineSiliconSolarCellswithanAl2O3PassivationLayer的论文。
　　图1。p型Si片上沉积Cu2O和Al2O3Cu2O叠层薄膜后的（a）少子寿命随注入浓度的关系，以及（b）饱和电流密度（J0S）。
　　图2。pSi和pSiAl2O3衬底上制备Cu2O薄膜的Cu2p，CuLMM，Si2p以及O1s的XPS图谱。
　　晶体硅与p型Cu2O材料具有低的价带偏移和高的导带偏移，因此cSiCu2O异质结可对电子进行阻挡，实现空穴的选择性传输。本论文以pSiCu2O钝化接触异质结太阳能电池为研究对象，发现直接的pSiCu2O接触将导致一个自发形成的亚化学计量比SiOX夹层。同时Cu元素也扩散到硅表面形成深能级掺杂，减少少数载流子寿命。文章随后在pSiCu2O界面上引入超薄Al2O3层（1nm），它不仅起到钝化隧道层的作用，而且还抑制了SiCu2O界面上的氧化还原反应和Cu扩散。结合金的高功函数和银的优异光学特性，基于pSiAl2O3Cu2OAuAg钝化接触的太阳电池功率转换效率可达到19。71，为已报道的同类型电池的最高水平。
　　图3。pSi和pSiAl2O3衬底上制备Cu2O薄膜截面的高分辨透射电子显微镜照片以及相应的能谱分析。
　　图4。（a）pSiAl2O3Cu2O背接触异质电池示意图，以及不同叠层器件的（b）电流密度电压（JV）和（c）外量子效率（EQE）曲线。（d）在不同金属背电极下，体硅和电极的光吸收特性。
　　这项工作揭示了pSiCu2O钝化接触的界面特性和载流子传输机制，为减少其界面缺陷和实现载流子的选择性传输提供了一个有效策略，可作为一种普适的方法在提升异质结电池效率和稳定性方面得到应用，并为其他类型的薄膜太阳电池的研究提供新的思路。
　　论文第一作者为中国科学院上海高等研究院博士生李乐，论文通讯作者为中国科学院上海高等研究院李东栋研究员、鲁林峰副研究员。该工作受到了国家自然科学基金委员会，上海市科委和中国科学院青年创新促进会等项目的资助。
　　来源：中科院上海高等研究院
　　论文链接
　　https：pubs。acs。orgdoi10。1021acsami。1c08258