三星正在扩大NAND闪存的生产能力。 三星电子(Samsung Electronics)周一宣布,该公司已开始在韩国平泽(Pyeongtaek)的工厂建设,以扩大其V-NAND内存生产线。 三星表示,这条扩展线一旦建成,将生产100层的V-NAND闪存。该公司预计扩张将在2021年下半年完成。 这家韩国科技巨头补充说,随着人工智能(AI)和物联网(IoT)变得更加普遍,希望这条产品线的扩展将有助于满足中长期对NAND闪存的需求。 在谈到时,三星还表示,它认为,大流行带来的社交疏远措施加快了向人工智能和物联网的转变,而最新的投资将使公司能够及早抓住未来的机遇。 三星的平泽工厂建于2015年。该公司于2017年开始在该工厂生产NAND闪存芯片,这使得这家韩国科技巨头得以满足对存储芯片的巨大需求,并在2018年实现了创纪录的利润。三星的利润在当年第三季度实现了增长。 参见:三星为智能手机开发新的安全芯片 自2002年以来,三星一直是全球最大的NAND闪存制造商,并于2019年8月首次开始生产该行业第一款100层v -NAND闪存。 截至上个月,该公司还在建设新的芯片代工生产线,该工厂使用极紫外线(EUV)技术生产5纳米或更小的芯片。 与此同时,三星还推出了itsOdyssey G7游戏监视器,今年早些时候在CES上首次亮相。 弯曲QLED显示器有两种不同的尺寸,27英寸和32英寸,曲率半径为1000毫米。响应时间1ms,刷新率240Hz,峰值亮度600 cd/m2,并通过德国莱茵TUV认证。这款显示器本月开始在全球销售。 该公司上周五还推出了基于英特尔芯片的Galaxy Book S笔记本电脑。据三星公司介绍,这款笔记本电脑采用了一种新的英特尔CPU,采用了英特尔的Foyeros 3D叠加技术和一种混合CPU架构。 该处理器提供了完全的Windows 10兼容性,在不使用时将节省电池,它补充说。 这款笔记本电脑的电池容量为42Wh,内存为8GB,用户可以选择256GB或512GB的内存。它还支持Wi-Fi 6和LTE连接。