虽然市场上的主流SSD还是TLC或者QLC，但是目前闪存厂商都开始尝试研发下一代的闪存产品了。
　　铠侠（前身是东芝存储）在2019年已经开始讨论每个存储单位5位元的PLC3DNAND闪存技术，时隔三年后，该公司又开始展示每存储单元6位元的HLC甚至每存储单元8位元的OLC3DNAND闪存技术。
　　众所周知，存储单元中每多一个位元的数据，就需要保持更多不同电压的电平值，例如MLC或者说2LC需要维持4个电平，TLC或者说3LC需要8个电平，QLC需要16级电平，PLC需要32个电平，而铠侠现在弄的HLC或者说6LC则需要多达64级电平。
　　这是巨大的挑战。
　　首先，制造商需要找到能维持如此多电平值的材料，然后还要实现电平区分，确保电平状态不会相互干扰。温度控制也变得前所未有的重要，因为位元数越多，温度控制越困难。
　　铠侠的研发人员对公司现有的3DNAND闪存颗粒倒进了零下196摄氏度的液氮进行冷却，以消除重写循环导致的器件劣化，这样的极低温度有助于降低隧道薄膜的要求、降低电平电压值、稳定材料总之，这相当程度改善了IC中发生的物理特性和工艺。
　　经过如此变态的处理后，铠侠研发人员实现了维持100分钟的每存储单元6位元数据读取、写入，而且耐用度达到了1000次循环。当然，这离不开零下196摄氏度的助力。据估计，如果是常温下的话，耐用度会降低一个数量级，跌到100次循环。
　　HLC和QLC相比提高了50的存储密度，相比于PLC只提升了25，HLC在商业上具有更高的实现价值。除此以外，铠侠还认为OLC或者说8LC在技术上也是存在可能性的，目前的主要问题是寻找合适的材料、设计以及主控，最终也许可以让6LC和8LC在商业上也有可行性。
　　但是如果这样的努力失败的话，人类的闪存技术也许将停留在PLC或者说5LC上，以目前的情况看TLC仍将存在较长的时间。

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