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西数将量产162层闪存一块晶圆容量100TB

  西部数据宣布,与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代,堆叠层数达到162层,今年即投入量产。
  目前的3D NAND闪存已经纷纷堆到176层,美光日前更是宣布全球首个达到232层。
  但是西数指出,  自家的162层闪存单元尺寸更小,只有68平方毫米  ,小于竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米,因此存储密度更高,可以提供和竞品相同的单芯片容量。
  西数表示,   BiCS6 162层堆叠下,一块晶圆就可以做到100TB容量,而目前只有大约70TB。
  性能方面,西数宣称自己拥有最好的电荷捕获(Charge Trap)型单元,性能可达  60MB/s  ,比对手快了一半。
  西数还预告了下下一代BiCS+闪存,  堆叠超过200层,预计可带来60%的传输速度提升、15%的编程带宽提升、55%的晶圆容量提升  ,然后继续一路堆叠,  2032年左右将超过500层!
  另外,西数在PPT上海列出了PLC闪存,但没有任何细节消息。
  【来源:快科技】【作者:上方文Q】

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