这两天IBM首发2nm工艺芯片的消息刷屏了，在当前的半导体环境下，这件事意义确实重大，因为最近几年领导先进工艺的是台积电，IBM首发2nm工艺给美国公司赢回了面子。
　　IBM2nm工艺的基本情况昨天都报道过了，使用了GAA环绕栅极晶体管技术，密度可达3。33亿晶体管mm2，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的2。9晶体管mm2要高，指甲盖大小的芯片就有500亿晶体管。
　　不过仔细算算的话，IBM2nm工艺的晶体管密度优势没有多大，最终比台积电3nm工艺领先多少还不好说，毕竟后者也有2nmGAA工艺没发。
　　性能方面，IBM表示他们的2nm工艺在同样的电力消耗下，其性能比当前7nm高出45，输出同样性能则减少75的功耗。
　　还有一些细节，那就是IBM的2nm工艺的纳米片为3层堆栈，高度75nm，宽度40nm，栅极长12nm，纳米片高度5nmmdash；mdash；里面没有一个参数是2nm的，因为2nm的命名还是沿用了传统2D晶体管的标准。
　　在台积电的2nm工艺还在研发阶段没有公布技术细节的情况下，IBM这次在美国的实验室率先推出了2nm技术是很有象征意义的，美国现在也在努力夺回半导体工艺领先地位，IBM的2nm工艺给了信心。
　　不过IBM量产2nm工艺的难度也不小，因为现在这个技术还是实验室生产的，IBM没有大规模生产的条件了，这次2nm工艺还有三星、Intel的参与，后面两家有可能吸纳2nm工艺技术（至少是部分）。
　　根据IBM的说法，2nm工艺预计在2024年量产，这个时间点正好卡在台积电2nm工艺量产的范围内。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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