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南大光电高端ArF光刻胶获得突破未来可用于7nm工艺

  在半导体制造上,国内厂商需要突破的不只是光刻机等核心设备,光刻胶也是重要的一环。南大光电日前宣布,该公司研发的高端  ArF   光刻机已经获得了国内某企业的认证,用于  55nm   工艺制造。
  南大光电于  5   月  31   日晚间发布公告,控股子公司宁波南大光电自主研发的  ArF   光刻胶继  2020   年  12   月在一家存储芯片制造企业的  50nm   闪存平台上通过认证后,   近日又在逻辑芯片制造企业  55nm   技术节点的产品上取得了认证突破,表明公司光刻胶产品已具备  55nm   平台后段金属布线层的工艺要求。
  不过南大光电没有透露具体的客户名字。
  在光刻机市场上,国内自给率极低,欧美日等地区的厂商占据主要份额,  JSR   、信越化学等  TOP5   厂商占据全球  87%   的份额。
  光刻胶有不同的技术类别,低端的中  g   线  /i   线光刻胶自给率约为  20%   ,  KrF   光刻胶自给率不足  5%   ,  而高端的  ArF   光刻胶完全依赖进口,是国内半导体的卡脖子技术之一。
  虽然南大光电的  ArF   光刻胶现在通过的是  55nm   工艺认证,但  ArF   光刻胶涵盖的工艺技术很广,   可用于  90nm-14nm   甚至  7nm   技术节点制造工艺,    广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、 存储芯片、  AI   芯片、  5G   芯片和云计算芯片等)。
  【来源:快科技】【作者:宪瑞】

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