Intel发布史上最详细工艺和封装技术路线图

　　Intel发布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图，展示了一系列底层技术创新。
　　除了公布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET和业界首个全新的背面电能传输网络PowerVia之外，Intel还重点介绍了迅速采用下一代极紫外光刻（EUV）技术的计划，即高数值孔径（HighNA）EUV。
　　据悉，Intel有望率先获得业界第一台HighNAEUV光刻机。
　　IntelCEO帕特middot；基辛格表示，基于Intel在先进封装领域毋庸置疑的领先性，我们正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到2025年制程性能再度领先业界。
　　Intel正利用我们无可比拟的持续创新的动力，实现从晶体管到系统层面的全面技术进步。在穷尽元素周期表之前，我们将坚持不懈地追寻摩尔定律的脚步，并持续利用硅的神奇力量不断推进创新。
　　Intel技术专家详述了以下路线图，其中包含新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术：
　　基于FinFET晶体管优化，Intel7与Intel10nmSuperFin相比，每瓦性能将提升约1015。2021年即将推出的AlderLake客户端产品将会采Intel7工艺，之后是面向数据中心的SapphireRapids预计将于2022年第一季度投产。
　　Intel4完全采用EUV光刻技术，可使用超短波长的光，刻印极微小的图样。凭借每瓦性能约20的提升以及芯片面积的改进，Intel4将在2022年下半年投产，并于2023年出货，这些产品包括面向客户端的MeteorLake和面向数据中心的GraniteRapids。
　　Intel3凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用，较之Intel4将在每瓦性能上实现约18的提升，在芯片面积上也会有额外改进。Intel3将于2023年下半年开始用于相关产品生产。
　　Intel20A将凭借RibbonFET和PowerVia两大突破性技术开启埃米时代。RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。
　　PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel20A预计将在2024年推出。Intel也很高兴能在Intel20A制程工艺技术上，与高通公司进行合作。
　　2025年及更远的未来：从Intel20A更进一步的Intel18A节点也已在研发中，将于2025年初推出，它将对RibbonFET进行改进，在晶体管性能上实现又一次重大飞跃。
　　Intel还致力于定义、构建和部署下一代HighNAEUV，有望率先获得业界第一台HighNAEUV光刻机。Intel正与ASML密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代EUV。
　　Intel高级副总裁兼技术开发总经理AnnKelleher博士表示：ldquo；Intel有着悠久的制程工艺基础性创新的历史，这些创新均驱动了行业的飞跃。我们引领了从90nm应变硅向45nm高K金属栅极的过渡，并在22nm时率先引入FinFET。凭借RibbonFET和PowerVia两大开创性技术，Intel20A将成为制程技术的另一个分水岭。rdquo；
　　【来源：快科技】【作者：朝晖】