SK海力士刚刚宣布了HBM3DRAM存储器的最新开发进展，可知新一代内存标准不仅带来了更高的带宽，还可通过垂直堆叠来增加容量。从去年7月量产HBM2E内存开始，该公司就已经在着手HBM3新品的研发。随着今日的公告，我们得知SK海力士将带来两款衍生型号。
　　（来自：SKHynix官网）
　　除了基于8Hi堆栈的16GBSKU，SK海力士还计划推出由2GBDRAM组成12Hi堆栈的24GBSKU，此外该公司提到其已将DRAM芯片的层高缩减至30mu；m。
　　负责DRAM开发的执行副总裁SeonyongCha表示：自推出全球首款HBMDRAM以来，SK海力士在引领HBM2E市场之后，又成功开发了业内首款HBM3DRAM。
　　我们将继续努力巩固自身在高端内存市场的领导地位，并通过提供符合ESG管理标准的产品，来帮助提升客户们的价值。
　　性能方面，SK海力士预计其HBM3DRAM的每个堆栈可提供819GBs的带宽，较460GBs的上一代HBM2EDRAM提升了78。
　　以英伟达A100加速卡为例，若在其GPU基板上整合6个HBM2EDRAM堆栈，总带宽可冲击5TBs。然而当前的产品，仅受限于2。0TBs。
　　此外如果使用24GB的HBM3DRAM芯片，其理论总容量可达到144GB。即使考虑到56的良率，也还有120GB可用。
　　WCCFTech推测，英伟达Ampere和AMDCDNA2的继任者（AmpereNext与CDNA3），有望率先采用HBM3内存。
　　那样来年的高性能数据中心和机器学习平台，将极大地受益于此。早些时候，Synopsys还宣布其正在增加具有HBM3IP和验证解决方案的多芯片架构设计。
　　【来源：cnBeta。COM】

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