在上月的ITF大会上，半导体行业大脑imec（比利时微电子研究中心）公布的蓝图显示，2025年后晶体管进入埃米尺度（Å ，angstrom，1埃 = 0.1纳米），其中2025对应A14（14Å =1.4纳米），2027年为A10（10Å =1nm）、2029年为A7（7Å ＝0.7纳米）。
　　据悉，相较于当前0.33NA的EUV光刻机，0.55NA有了革命性进步，它能允许蚀刻更高分辨率的图案。
　　分析师Alan Priestley称，  0.55NA光刻机一台的价格会高达3亿美元（约合19亿）  ，是当前0.33NA的两倍。
　　早在今年7月，Intel就表态致力于成为高NA光刻机的首个客户，Intel营销副总裁Maurits Tichelman重申了这一说法，并将高NA EUV光刻机视为一次重大技术突破。
　　【来源：快科技】【作者：万南】

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