Nat。Commun。层状InSe中的滑移铁电性
2023年1月3日,Nat。Commun。在线发表了华东师范大学越方禹教授课题组的研究论文,题目为《SlidingferroelectricityinvanderWaalslayeredInSesemiconductor》。
二维(2D)范德华(vdW)层状铁电半导体是存储计算和铁电光伏或探测器的理想选择。得益于较弱的层间范德华力,通过层间转角平移或掺杂控制结构是操纵二维范德华半导体基本性质的有效策略,这有助于新出现的滑移铁电性。在此研究中,作者报道了由钇掺杂(InSe:Y)引发的范德华层状InSe半导体中非常规的面外和面内室温铁电现象。研究发现,厚度为50nm的InSe:Y薄片的有效压电常数为7。5pmV,比先前报道的大一个数量级。实验中可以直观地看到增强的滑移可转换极化,这源于奇妙的微观结构修饰,包括堆垛断层的消除和由于层内压缩和连续的层间预滑移引起的微妙的菱形变形。此研究为二维范德华层状半导体的固有特性提供了新的结构操纵自由度,以扩展下一代纳米电子器件的铁电候选材料。
图1InSe和InSe:Y的结构表征
图2InSe和InSe:Y的光学特性
图3InSe:Y的SHG和PFM
图4InSe:Y的微观结构分析
【论文链接】
Sui,F。,Jin,M。,Zhang,Y。etal。SlidingferroelectricityinvanderWaalslayeredInSesemiconductor。Nat。Commun。,2023,14,36。https:doi。org10。1038s41467022354900
【其他相关文献】
〔1〕Wu,M。Li,J。Slidingferroelectricityin2DvanderWaalsmaterials:Relatedphysicsandfutureopportunities。Proc。NatlAcad。Sci。USA,2021,118,e2115703118。https:doi。org10。1073pnas。2115703118
〔2〕Wu,M。TwodimensionalvanderWaalsferroelectrics:scientificandtechnologicalopportunities。ACSNano,2021,15,92299237。https:doi。org10。1021acsnano。0c08483
电子科技大学刘富才团队Nat。Commun。:二维铁电体中滑移诱导的多重极化态