美国封锁无效？国产存储芯片突破欧美日韩垄断，量产232层技术
在刚刚召开的2022年闪存峰会上，国产芯片巨头长江存储再次宣布重磅消息，基于国产芯片架构晶栈3。0（Xtacking3。0）的第四代3DTLCNAND闪存芯片正式量产商用，命名为X39070，它的问世有两个重要意义：
第一点：这是世界上首款真正量产且进入消费者市场的232层3DNAND闪存芯片，目前致态TiPlus7100系列SSD、海康威视的CC7002TBSSD都已经使用了该芯片，比国际同行三星、美光、SK海力士早了一步，可喜可贺！
第二点：芯片所采用的晶栈架构是完全由长江存储所自主研发的，是真正100中国的知识产权，未来不用担心被欧美继续卡脖子的问题。
成功的路上总不是一帆风顺，就在两个月前，美国已经在谋划要对长江存储进行华为式的打压，这场较量还会继续持续下去。什么是NAND闪存？
NANDFlash全名为FlashMemory，属于非易失性存储设备（NonvolatileMemoryDevice）。可能名字听起来陌生，其实大家每天都在跟NAND闪存芯片打交道，比如最常见的手机、笔记本电脑、iPad等，其中用于存储数据的内存条就是NAND闪存，没有它，大到服务器、小到手机手表，都无法正常工作。
一直以来，NAND闪存技术都牢牢掌控在欧美日韩手中，它首先由日本的东芝（现改名铠侠）在1987年发明，后来被三星、海力士、美光、英特尔等巨头发扬光大，长期以来这几家国外巨头牢牢霸占着全球95以上的NAND闪存市场。
作为一项战略性技术，拿下NAND闪存一直是国内芯片巨头争相实现的目标，但是由于欧美技术的垄断，厚厚的专利墙，使得我们一直无法实现真正突破，只能以跟随者的角色存在，无论是良品率、稳定性还是成本，都处于劣势。晶栈国产NAND3D架构：更快、更高、更灵活，打破欧美日韩垄断
时间来到2010年前后，随着NAND技术演进到3D架构，一直作为跟随者的长江存储厚积薄发，彻底打破国外垄断，终于拿出属于中国的倚天剑晶栈架构！
在晶栈架构推出前，市场上的3DNAND主要分为传统并列式架构和CuA架构。长江存储通过创新布局和缜密验证，经过长达9年在3DIC领域的技术积累和4年的研发验证后，终于将晶圆键合这一关键技术在3DNAND闪存上得以实现。更快
晶栈架构使3DNAND能拥有更快的IO传输速度。晶栈可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的逻辑工艺，从而让NAND获取更高的IO接口速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后，只需一个处理步骤即可通过数十亿根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆键合，合二为一。
更高
晶栈创新架构使3DNAND能拥有更高的存储密度。晶栈可实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，这样有利于选择更先进的逻辑工艺，从而让NAND获取更高的IO接口速度及更多的操作功能。
更灵活
晶栈模组化的工艺将提升研发效率并缩短生产周期。晶栈技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。
提防美国的伎俩
随着人类科技发展，现代社会正式进入电子化阶段，到处都是一个个的小电脑，比如手机、平板、监控系统、通信基站、云服务器等等，这些所有设备都离不开存储器，因此，NAND闪存技术绝对算得上一项保障国家安全的底层技术。
举个例子，2019年美国对华为的打压中，就严格限制了三星、海力士、美光等芯片巨头向华为提供闪存，这也直接导致了华为的服务器产品、通信设备甚至手机等消费类产品举步维艰。
就在2个月之前，美国多位重量级国会议员提议将长江存储列入实体列入未经验证清单，理由是长江存储供货华为可折屏幕的新旗舰手机MateXs2，已违反美国出口管制规定。31家未经核实的名单如下：
北方华创磁电科技有限公司（三级孙公司，主要做机械部件）
北京普科测控技术有限公司
中检集团南方电子产品测试股份有限公司
中国地质科学院矿产资源研究所
中国科学院化学研究所
重庆奥普泰通信技术有限公司
丹东无损检测
湖南大科激光有限公司
佛山華國光學器材有限公司
广电计量检测（重庆）有限公司
广西玉柴金兴机械有限公司
广电计量检测（北京）有限公司
嘉麟精密光学（上海）有限公司
丽水正阳电力建设有限公司
南京高华科技股份有限公司
宁波大艾激光科技有限公司
青岛科创质量检测有限公司
上海科技大学
苏州森川机械科技有限公司
天津光谷光电子孵化器有限公司
中国科学院大学
上海理工大学
广东先导先进材料股份有限公司
武汉生物制品研究所有限责任公司
武汉聚合光子技术有限公司
西安中盛圣远科技有限公司
长江存储科技有限责任公司
可以看出，美国依然在通过长臂管辖的伎俩，不断阻挠我国芯片产业的崛起，长江存储虽然已经掌握了具有自主知识产权的3DNAND技术，但是由于芯片制造部门依然依赖含有美国技术成分的设备，所以仍然有待突破。
好消息是，经过了3年的蛰伏之后，以华为海思为代表的国产芯片巨头，正在加速催化纯国产芯片制造产线，预计明年就会有纯国产28nm制程的芯片问世，这对长江存储等芯片巨头也是一个重大利好，不远的将来，就可以用中国技术制造中国芯片了！
东方欲晓，只争朝夕，加油吧！
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